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品牌/商标 | TOS日本东芝 | 型号/规格 | GT60N321 |
种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
导电方式 | 增强型 | 封装外形 | CHIP/小型片状 |
开启电压 | 1000(V) | *大漏*电流 | 60(mA) |
现货,欢迎来电咨询.
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),*缘栅双*型晶体管,是由BJT(双*型三*管)和MOS(*缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻*和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。*适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
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