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IRF630A ISC*产品!耗尽型MOS管N沟道

IRF630A  ISC*产品!耗尽型MOS管N沟道
IRF630A  ISC*产品!耗尽型MOS管N沟道
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  • 企业名:深圳市创导电子有限公司

    类型:经销商

    电话: 86 0755 13480842685

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    联系人:尹涛

    地址:广东深圳中国 广东 深圳市宝安区 深圳市宝安区25区华丰商务大厦D座705

商品信息 更新时间:2012-06-07

品牌/商标 ISC 型号/规格 IRF630A
种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 耗尽型 用途 UNI/一般用途
封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道

描述

  • 晶体管*性:ñ频道
  • 电流, Id 连续:9A
  • 电压, Vds *大:200V
  • 通电阻:400mohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs *高:3V
  • 封装类型:TO-220
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)
  • 功率, Pd:100W
  • 功耗:100W
  • 封装类型:TO-220
  • 封装类型, 替代:SOT-78B
  • 引脚节距:2.54mm
  • 时间, trr 典型值:170ns
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 漏*电流, Id *大值:9A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:200V
  • 电容值, Ciss 典型值:540pF
  • 电流, Idm 脉冲:36A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:400mohm
  • 针脚格式: 1G 2+插口 D 3S
  • 针脚配置:a
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
  • 阈值电压, Vgs th :2V
  • 阈值电压, Vgs th *高:4V

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