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  产品功能：功率MOS*—2N60    2A，600V  N沟道   
  
    2N60功率MOS场效应管采用*的高压DMOS工艺技术。
这种*工艺使器件具有优良的特性，如*快 的开关速度，*低栅电荷，
*小化的导通电阻以及*强的雪崩击穿特性。
这种器件*适合于*开关电源，
 DC/DC转换器，PWM马达控制和桥式驱动电路等。              
 
1、特征     · 2A，600V， RDS(on)=3.8Ω@Vgs=10V；      
     · *低栅电荷，典型9nC；   
·*低反向转换电容；典型5pF   
· 快速开关能力；          
 · 增强的dV/di能力；   
· 100%雪崩击穿测试；                                           
· 封装型式：TO-220，TO-220F，TO-251，TO-252   
· *大结温 150 ℃

优势产品有SSF2N60、SF5N60、SSF8N60、SSF10N60 SSF12N60、
SPP20N60C3、CR6224T、CR6224S、CR6228T、CR6229T、CR6235S、
CR6236T、CR6238T、CR6850S、CR6850T、PR9853T、PR9853S、
PR8275、*R10100、*R10200、*R10150、*R20100、
*R20150、*R20200、*R30100、*R30150、*R30200.等。
 
 产品广泛应用于：
＜1＞电源类产品：开关电源（如：充电器、逆变转换、转向灯、*灯等）、不间断电源UPS、电源转换器AC/DC、DC/DC、手机充电器等
＜2＞消费电子类产品：音响、DVD/VCD、DVD刻录机、机顶盒、MP3等
＜3＞汽车电子类产品：HID安定器、汽车音响、车载DVD、汽车导航系统、汽车*盗器等
 

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