TOSHIBA/东芝
TK11A45D
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
L/功率放大
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
1(V)
1(V)
1(μS)
1(pF)
企业名:上海琼创电子科技有限公司
类型:经销商
电话:
联系人:顾丽晴
地址:上海中国 上海市闸北区 汶水路8号8栋208室
属性 | 值 | 条件 |
部件型号 | TK11A45D | |
*性 | N沟 | |
漏源电压VDSS | 450 V | |
漏电流ID | 11 A | |
漏功耗PD | 40 W | |
门电荷总数Qg(nC) (标准) | 20 | |
漏源导通电阻RDS(ON)(*大) @VGS=10V | 0.62 Ω | |
封装 | TO-220SIS | |
管脚数 | 3 | |
表面安装型 | N | |
产品分类 | 功率MOSFET (N沟 250V<VDSS≦500V) | |
装配基础 | 日本, 马来西亚 | |
RoHS Compatible Product(s) (#) | Available |
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司