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场效应管 IRFR210BTM / IRFR210BTM_FP001 / IRFR210AMTF

场效应管 IRFR210BTM / IRFR210BTM_FP001 / IRFR210AMTF
场效应管 IRFR210BTM / IRFR210BTM_FP001 / IRFR210AMTF
  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    IRFR210BTM 200V 2.7A

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    S/开关

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 开启电压:

    4(V)

  • *间电容:

    225(pF)

  • 漏*电流:

    2,700(mA)

  • 耗散功率:

    2,500(mW)

普通会员
  • 企业名:深圳市福田区丰尔电子商行

    类型:经销商

    电话:

    联系人:杨金海

    地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 华强北华强电子世界10A051

商品信息 更新时间:2012-12-15

IRFR210BTM中文资料:

 

制造商

Fairchild Semiconductor

制造商*件编号

IRFR210BTM_FP001

描述

MOSFET N-CH 200V 2.7A DPAK

类别

分离式半导体产品

家庭

FET -单路

系列

-

FET

MOSFET N通道,金属氧化物

FET特点

标准型

开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C

1.5欧姆 @ 1.35A, 10V

漏*至源*电压(Vdss)

200V

电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C

2.7A

Id时的 Vgs(th)(*大)

4V @ 250µA 

闸电荷(Qg) @ Vgs

9.3nC @ 10V

在 Vds 时的输入电容(Ciss)

225pF @ 25V

功率 - *大

2.5W

安装类型

表面贴装 

封装/外壳

TO-252-3, DPak (2引线+接片), SC-63

供应商设备封装

D-Pak

包装

带卷 (TR)


公司照片:










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MSN: jason-yufo@hotmail.com

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手机: 13590258862 / 13531791171

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企业名:深圳市福田区丰尔电子商行

类型:经销商

电话:

联系人:杨金海

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