INFINEON/英飞凌
SPB20N60C2
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
5.5(V)
3000(pF)
20,000(mA)
208,000(mW)
企业名:深圳市福田区丰尔电子商行
类型:经销商
电话:
联系人:杨金海
地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 华强北华强电子世界10A051
∟ 快/超快/特快恢复二极管(3)∟ 肖特基二极管(21)∟ 其他二极管(2)
SPB20N60C2中文资料:
制造商 | Infineon Technologies |
制造商*件编号 | SPB20N60C2 |
描述 | MOSFET N-CH 650V 20A TO-263AB |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET -单路 |
系列 | CoolMOS™ |
FET型 | MOSFET N通道,金属氧化物 |
FET特点 | 标准型 |
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C | 190毫欧 @ 13A, 10V |
漏*至源*电压(Vdss) | 650V |
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C | 20A |
Id时的 Vgs(th)(*大) | 5.5V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 103nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 3000pF @ 25V |
功率 - *大 | 208W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2引线 接片), TO-263AB |
供应商设备封装 | P-TO263-3 |
包装 | 带卷 (TR) |
公司照片:
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