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场效应管 FDD120AN15A0 / FDD120AN15 / 120N15 / D120AN15

场效应管 FDD120AN15A0 / FDD120AN15 / 120N15 / D120AN15
场效应管 FDD120AN15A0 / FDD120AN15 / 120N15 / D120AN15
  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    FDD120AN15A0 150V 14A

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    S/开关

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 开启电压:

    4(V)

  • *间电容:

    250(pF)

  • 漏*电流:

    14,000(mA)

  • 耗散功率:

    65,000(mW)

普通会员
  • 企业名:深圳市福田区丰尔电子商行

    类型:经销商

    电话:

    联系人:杨金海

    地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 华强北华强电子世界10A051

商品信息

FDD120AN15A0中文资料:

 

制造商

Fairchild Semiconductor

制造商*件编号

FDD120AN15A0

描述

MOSFET N-CH 150V14AD-PAK

类别

分离式半导体产品

家庭

FET -单路

系列

PowerTrench®

FET

MOSFET N通道,金属氧化物

FET特点

标准型

开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C

120毫欧@4A, 10V

漏*至源*电压(Vdss)

150V

电流-连续漏*(Id) @ 25° C

14A

Id时的Vgs(th)(*大)

4V @ 250µA 

闸电荷(Qg) @ Vgs

14.5nC @ 10V

Vds时的输入电容(Ciss)

770pF @ 25V

功率-*大

65W

安装类型

表面贴装 

封装/外壳

TO-252-3, DPak (2引线 接片), SC-63

供应商设备封装

TO-252AA

包装

带卷(TR)


公司照片:








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企业名:深圳市福田区丰尔电子商行

类型:经销商

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