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场效应管 PHD78NQ03LT / PHD78NQ 03LT / 78N03

场效应管 PHD78NQ03LT / PHD78NQ 03LT / 78N03
场效应管 PHD78NQ03LT / PHD78NQ 03LT / 78N03
  • 品牌/商标:

    NXP Semiconductors

  • 型号/规格:

    PHD78NQ03LT

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    S/开关

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 开启电压:

    2(V)

  • *间电容:

    970(pF)

  • 漏*电流:

    75,000(mA)

  • 耗散功率:

    107,000(mW)

普通会员
  • 企业名:深圳市福田区丰尔电子商行

    类型:经销商

    电话:

    联系人:杨金海

    地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 华强北华强电子世界10A051

商品信息 更新时间:2013-01-05

PHD78NQ03LT中文资料:

制造商

NXP Semiconductors

制造商*件编号

PHD78NQ03LT,118

描述

MOSFET N-CH 25V 75A SOT428

类别

分离式半导体产品

家庭

FET -单路

系列

TrenchMOS™

FET

MOSFET N通道,金属氧化物

FET特点

逻辑电平门

开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C

9毫欧 @ 25A, 10V

漏*至源*电压(Vdss)

25V

电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C

75A

Id时的 Vgs(th)(*大)

2V @ 1mA

闸电荷(Qg) @ Vgs

11nC @ 4.5V

在 Vds 时的输入电容(Ciss)

970pF @ 12V

功率 - *大

107W

安装类型

表面贴装 

封装/外壳

TO-252-3, DPak (2引线 接片), SC-63

供应商设备封装

D-Pak

包装

带卷 (TR)

 


公司照片:









 

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