*现货供应MOS管IRF3205S

品牌：
IR/国际整流器
型号：
IRF3205S
种类：
结型(JFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
耗尽型
用途：
MOS-FBM/全桥组件
封装外形：
CER-DIP/陶瓷直插
材料：
N-FET硅N沟道
开启电压：
55（V）
夹断电压：
5（V）
跨导：
0.05（μS）
*间电容：
211（pF）

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场效应管MOSFET(16)
∟ 结型场效应管(4)

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商品信息

RF3205 概述

　　IR的HEXFET功率场效应管IRF3205采用*的工艺技术制造，具有*低的导通阻*。IRF3205这种特性，加上快速的转换速率，和以坚固耐用著称的HEXFET设计，使得IRF3205成为*其**、应用范围*广的器件。
　　TO-220封装的IRF3205普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用，低热阻和*的TO-220封装，使IRF3205得到业内的普遍*。D2Pak封装的IRF3205适用于贴片安装，比起现有的任何其他贴片封装，可说是功率*高，导通阻*。TO-262是IRF3205的通孔安装版，适合较低端的应用。

IRF3205 参数
IRF3205 基本参数
V_DSS		55 V
I_D@25℃		98 A
R_DS(on)Max		8.0 mΩ
IRF3205 其他特性
FET*性		N型沟道
Qg T*		97.3 nC
IRF3205 封装与引脚
TO-220AB, TO-263, TO-262