IR/国际整流器
IRF630NPBF
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
V/前置(输入级)
CHIP/小型片状
GaAS-FET砷化镓
200(V)
010(V)
25.0520(μS)
40(pF)
类型:经销商
电话:
手机:13686863821
联系人:古泳
地址:广东深圳中国 广东 深圳市 福田区华强广场D座21楼J室
∟ 结型场效应管(39)
IRF630PBF |
TO-220AB PKG |
IR(F,L)x Series Side 1 IR(F,L)x Series Side 2 |
1,000 |
離散半導體產品 |
FET - 單路 |
- |
MOSFET N通道,金屬氧化物 |
標準 |
400 毫歐姆 @ 5.4A, 10V |
200V |
9A |
4V @ 250µA |
43nC @ 10V |
800pF @ 25V |
74W |
通孔 |
TO-220-3 |
管裝 |
TO-220AB |
1538 (TW2010-11 PDF) |
*IRF630PBF |
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司