CER-DIP/陶瓷直插
IRF830B IRF830PBF IRF830
ALGaAS铝镓砷
MOS-HBM/半桥组件
IR/国际整流器
N沟道
结型(JFET)
耗尽型
类型:经销商
电话:
联系人:陈义伟
地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 华强三店3A132(佳和大厦)
∟ 结型场效应管(267)
VISHAY*原装场效应管 IRF830PBF IRF830
VISHAY*原装场效应管 IRF830PBF IRF830
造商: Vishay
产品种类: MOSFET 功率
RoHS: 详细信息
配置: Single
晶体管*性: N-Channel
电阻汲*/源* RDS(导通): 1.5 Ohms
汲*/源*击穿电压: 500 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏*连续电流: 4.5 A
功率耗散: 74 W
*大工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220AB
封装: Tube
*小工作温度: - 55 C
Standard Pack Qty: 1000
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司