ST/意法
STP6NC60FP
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
MOS-HBM/半桥组件
CER-DIP/陶瓷直插
ALGaAS铝镓砷
22(V)
22(V)
22(μS)
22(pF)
类型:经销商
电话:
联系人:陈义伟
地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 华强三店3A132(佳和大厦)
∟ 结型场效应管(267)
制造商: STMicroelectronics
RoHS: 否
配置: Single
晶体管*性: N-Channel
电阻汲*/源* RDS(导通): 1.2 Ohms
汲*/源*击穿电压: 600 V
闸/源击穿电压: +/- 30 V
漏*连续电流: 6 A
功率耗散: 40 W
*大工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220FP
封装: Tube
*小工作温度: - 65 C
Standard Pack Qty: 50
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司