FSC*童MOS场效应系列芯片 FQP70N10

品牌：
FAIRCHILD/*童
型号：
FQP70N10
种类：
结型(JFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
耗尽型
用途：
MOS-INM/*组件
封装外形：
CER-DIP/陶瓷直插
材料：
P-FET硅P沟道
开启电压：
22（V）
夹断电压：
22（V）
跨导：
22（μS）
*间电容：
22（pF）

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场效应管MOSFET(433)
∟ 结型场效应管(267)

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商品信息

FSC*童MOS场效应系列芯片 FQP70N10

FQP70N10产品规格参数

Datasheets FQP70N10
Product Photos TO-220-3 Pkg
Product Training Modules High Voltage Switches for Power Processing
Catalog Drawings MOSFET TO-220 Pkg
Standard Package 50
Category Discrete Semiconductor Products
Family FETs - Single
Series QFET™
FET T*e MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 57A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23 mOhm @ 28.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 110nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 3300pF @ 25V
Power - Max 160W
Mounting T*e Through Hole
Package / Case TO-220-3
Supplier Device Package TO-220
Packaging Tube
Catalog Page 1386 (US2011 Interactive)
1386 (US2011 PDF)