INFINEON*场效应管/散新管IKW20N60T K20T60

品牌：
INFINEON/英飞凌
型号：
IKW20N60T K20T60
种类：
结型(JFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
耗尽型
用途：
MOS-HBM/半桥组件
封装外形：
CER-DIP/陶瓷直插
材料：
ALGaAS铝镓砷
开启电压：
22（V）
夹断电压：
22（V）
跨导：
22（μS）
*间电容：
22（pF）

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场效应管MOSFET(433)
∟ 结型场效应管(267)

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商品信息

INFINEON*场效应管/散新管IKW20N60T K20T60

IKW20N60T K20T60产品规格参数 PDF

Datasheets IKW20N60T
Product Photos TO-247 Pkg
Standard Package 240
Category Discrete Semiconductor Products
Family IGBTs - Single
Series TrenchS*™
IGBT T*e Trench and Field S*
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 20A
Current - Collector (Ic) (Max) 40A
Power - Max 166W
Input T*e Standard
Mounting T*e Through Hole
Package / Case TO-247-3
Supplier Device Package PG-TO247-3
Packaging Tube
Other Names SP