FAIRCHILD童原装场效应管 FQP8N60C 8N60C 8N60

品牌：
FAIRCHILD/*童
型号：
FQP8N60C 8N60C 8N60
种类：
结型(JFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
用途：
MIX/混频
封装外形：
CER-DIP/陶瓷直插
材料：
HEMT高电子迁移率
开启电压：
33（V）
夹断电压：
33（V）
跨导：
33（μS）
*间电容：
33（pF）

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场效应管MOSFET(433)
∟ 结型场效应管(267)

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商品信息

FAIRCHILD*童*原装场效应管 FQP8N60C 8N60C 8N60

FQP8N60C 8N60C 8N60产品规格参数

Datasheets FQP8N60C, FQPF8N60C
Product Photos TO-220-3 Pkg
Product Training Modules High Voltage Switches for Power Processing
Product Change Notification Design/Process Change Notification 26/June/2007
Standard Package 50
Category Discrete Semiconductor Products
Family FETs - Single
Series QFET™
FET T*e MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 7.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 Ohm @ 3.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 36nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1255pF @ 25V
Power - Max 147W
Mounting T*e Through Hole
Package / Case TO-220-3
Supplier Device Package TO-220
Packaging Tube