INFINEON英飞凌*原装 IHW20N120R2 H20N120R2现货

品牌/商标：
INFINEON/英飞凌
型号/规格：
IHW20N120R2 H20N120R2
种类：
结型(JFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
耗尽型
用途：
MOS-TPBM/三相桥
封装外形：
CER-DIP/陶瓷直插
材料：
SIT静电感应

发布询价信息

普通会员

企业名：结型场效应管深圳市福田区宏诚辉电子商行

类型：经销商

电话：

联系人：陈义伟

地址：广东深圳中国广东深圳市福田区华强三店3A132(佳和大厦)

产品分类

场效应管MOSFET(433)
∟ 结型场效应管(267)

新品上架

商品信息

INFINEON英飞凌*原装 IHW20N120R2 H20N120R2

IHW20N120R2 H20N120R2产品规格参数

数据列表 IHW20N120R2

产品相片 TO-247 Pkg

标准包装 240
类别分离式半导体产品
家庭 IGBT - 单路
系列 TrenchS*™
IGBT 类型 NPT、沟道和场截止

电压 - 集电*发射*击穿（*大） 1200V

Vge, Ic时的*大Vce（开） 1.75V @ 15V, 20A

电流 - 集电* (Ic)（*大） 40A

功率 - *大 330W

输入类型标准型

安装类型通孔

封装/外壳 TO-247-3

供应商设备封装 PG-TO247-3

包装管件

其它名称 SP