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GT10G101

GT10G101

GT10G101

材料：
ALGaAS铝镓砷
种类：
结型(JFET)
型号/规格：
GT10G101
封装外形：
CER-DIP/陶瓷直插
品牌/商标：
TOSHIBA
用途：
A/宽频带放大
沟道类型：
N沟道
导电方式：
耗尽型
*间电容：
0
低频噪声系数：
0
漏*电流：
0

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普通会员

企业名：结型场效应管方泽雄

类型：经销商

电话：

联系人：方泽雄

地址：广东汕头中国广东汕头市潮南区陈店镇沿江东路151—153号

产品分类

场效应管MOSFET(394)
∟ 结型场效应管(184)

新品上架

商品信息 更新时间：2013-01-04

GT10G101

联系方式

企业名：结型场效应管方泽雄

类型：经销商

电话：

联系人：方泽雄

地址：广东汕头中国广东汕头市潮南区陈店镇沿江东路151—153号

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