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AP20GT60P优势供应

品牌：
台湾富鼎APEC
型号：
AP20GT60P
种类：
结型(JFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
耗尽型
用途：
MW/微波
封装外形：
CHIP/小型片状
材料：
GE-N-FET锗N沟道
开启电压：
.（V）
夹断电压：
.（V）
跨导：
.（μS）
*间电容：
.（pF）

发布询价信息

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普通会员

企业名：结型场效应管深圳赛格电子市场天威电子展销柜

类型：经销商

电话：

联系人：古委利

地址：广东深圳中国广东深圳市深圳市华强北路赛格广场二楼

产品分类

场效应管MOSFET(29)
∟ 结型场效应管(15)

新品上架

商品信息

Bitmap

Part Number

Package

Configuration

V_ces(V)

V_ge(&plu*n;V)

I_c(A)

P_D(W)

Rthj-c IGBT (℃/W)

Rthj-c DIODE (℃/W)

Rthj-a (℃/W)

Vce(sat) (T* V)

Vge(th) (max V)

25°C

100°C

25°C

AP20GT60P

TO-220(P)

600

20

60

20

104

1.2

62.5

1.8

6

AP20GT60W

TO-*(W)

600

20

40

20

125

40

1.8

6

AP20GT60SW

TO-*(W)

600

20

40

20

125

1

1.5

40

2.3

6

AP28G40GEO

TSSOP-8(O)

With *D Diode

400

6

150

1

125

5.2

1.2

AP28G45GEO

TSSOP-8(O)

With *D Diode

400

6

150

1

125

5.2

1.2

AP30G100SW

TO-*(W)

With FRD

1000

30

60

30

208

0.6

3.75

40

3

7

AP30G100W

TO-*(W)

1000

30

60

30

208

0.6

40

3

7

AP30G120SW

TO-*(W)

With FRD

1200

30

60

30

208

0.6

3.75

40

3

7

AP30G120ASW

TO-*(W)

With FRD

1200

30

60

30

208

0.6

2

40

3

7

AP30G120W

TO-*(W)

1200

30

60

30

208

0.6

40

3

7

AP40G120W

TO-*(W)

1200

20

80

40

208

0.6

40

3.15

7

AP50G60SW

TO-*(W)

With FRD

600

30

75

45

300

0.42

1.5

40

2.6

6

AP85G33W

TO-*(W)

330

30

90

208

0.6

AP90G27W

TO-*(W)

270

30

90

150

0.833

40

1.6

5

联系方式

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电话：

联系人：古委利

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