TOSHIBA/东芝
2SK2507
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
L/功率放大
CER-DIP/陶瓷直插
M*金属半导体
5（V）
6（V）
1（μS）
5（pF）
类型：经销商
电话：
联系人：赵羽
地址：上海中国 上海市虹口区 四川北路1851号1908室
∟ 结型场效应管(15)
本公司为东芝代理商，**产品均为东芝原厂，现货供应，订货价格竞争力强,该料为香港发货
| 部件型号 | 2SK2507 | |
| *性 | N沟 | |
| 漏源电压VDSS | 50 V | |
| 漏电流ID | 25 A | |
| 漏功耗PD | 30 W | |
| 门电荷总数Qg(nC) (标准) | 25 | |
| 漏源导通电阻RDS(ON)(*大) @VGS=4V | 0.08 Ω | |
| 漏源导通电阻RDS(ON)(*大) @VGS=10V | 0.046 Ω | |
| 封装 | TO-220NIS | |
| 管脚数 | 3 | |
| 产品分类 | 功率MOSFET (N沟 30V<VDSS≤60V) |
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