TOSHIBA/东芝
2sk3878
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
1（V）
1（V）
1（μS）
1（pF）
1（dB）
1（mA）
1（mW）
类型：经销商
电话：
联系人：顾丽晴
地址：上海中国 上海市闸北区 汶水路8号8栋208室
∟ 结型场效应管(14)
| 件型号 | 2SK3878 | |
| *性 | N沟 | |
| 漏源电压VDSS | 900 V | |
| 漏电流ID | 9 A | |
| 漏功耗PD | 150 W | |
| 门电荷总数Qg(nC) (标准) | 60 | |
| 漏源导通电阻RDS(ON)(*大) @VGS=10V | 1.3 Ω | |
| 封装 | TO-*(N) | |
| 管脚数 | 3 | |
| 表面安装型 | N | |
| 产品分类 | 功率MOSFET (N沟 700V<VDSS) | |
| 装配基础 | 日本, 泰国 |
场效应管2sk3878东芝原装
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