IR/国际整流器
IRF630NSPBF
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
*(V)
*(V)
*(pF)
*(dB)
*(mA)
类型:经销商
电话:
手机:18922867849
联系人:韦蘅珍
地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 公司地址:深圳市福田区华强广场C座15A 门市地址:深圳市高科德电子市场12873室
∟ 结型场效应管(92)
数据列表 IRF630N
产品相片 D2PAK, TO-263
产品目录绘图 IR Hexfet D2PAK
标准包装 800
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单路
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准型
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C 300 毫欧 @ 5.4A, 10V
漏*至源*电压(Vdss) 200V
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 9.3A
Id 时的 Vgs(th)(*大) 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 35nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 575pF @ 25V
功率 - *大 82W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 引线 接片), TO-263AB
供应商设备封装 D2PAK
包装 带卷 (TR)
类型:经销商
电话:
手机:18922867849
联系人:韦蘅珍
地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 公司地址:深圳市福田区华强广场C座15A 门市地址:深圳市高科德电子市场12873室
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司