CHIP/小型片状
SM4833NSKC-TRG
GE-N-FET锗N沟道
L/功率放大
SI*POWER
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型
属性值
企业名:苏州康宇电子有限公司
类型:经销商
电话:
联系人:孟利芳
地址:江苏苏州中国 江苏 苏州市虎丘区 狮山路12号金狮大厦11楼J座
∟ MOSFET(9)
30V/17A,
RDS(ON)= 4mW(max.) @ VGS= 10V
RDS(ON)= 5.6mW(max.) @ VGS= 4.5V
· Super High Dense Cell Design
· Reliable and Rugged
· Lead Free and Green Devices Available
(RoHS Compliant)
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司