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SI2308DS-T1-E3北京天泰恒洲科技

SI2308DS-T1-E3北京天泰恒洲科技
SI2308DS-T1-E3北京天泰恒洲科技
  • 品牌:

    SIL美德硅技术

  • 型号:

    SI2308DS-T1-E3

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    D/变频换流

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 开启电压:

    1(V)

  • 夹断电压:

    1(V)

  • 低频跨导:

    1(μS)

  • *间电容:

    1(pF)

普通会员
  • 企业名:北京天泰恒洲科技有限公司

    类型:生产企业

    电话:

    联系人:廖汉鑫

    地址:北京中国 北京市丰台区 北京市海淀区中关村大街32号蓝天科技综合楼B1-F5中发电子市场中心F1150号

产品分类
商品信息

VISHAY SILICONIX - SI2308DS-T1-E3 - 场效应管 MOSFET N SOT-23

 

制造商:

VISHAY SILICONIX

 

制造商编号:

SI2308DS-T1-E3

RoHS协从产品:

描述

·        晶体管*性:N

·        漏*电流, Id*大值:2A

·        电压, Vds*大:60V

·        开态电阻, Rds(on):0.16ohm

·        电压@ Rds测量:10V

·        电压, Vgs*高:3V

·        功耗:1.25W

·        封装类型:SOT-23

·        针脚数:3

·        封装类型:SOT-23

·        晶体管类型:MOSFET

·        电压Vgs @ Rds on测量:10V

·        电压, Vds典型值:60V

·        电流, Id连续:2A

·        表面安装器件:表面安装

·        阈值电压, Vgs th典型值:3V

联系方式

企业名:北京天泰恒洲科技有限公司

类型:生产企业

电话:

联系人:廖汉鑫

地址:北京中国 北京市丰台区 北京市海淀区中关村大街32号蓝天科技综合楼B1-F5中发电子市场中心F1150号

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