SIL美德硅技术
SI1012X-T1
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
MOS-INM/*组件
CHIP/小型片状
N-FET硅N沟道
4.5(V)
20(V)
1(μS)
1(pF)
企业名:北京天泰恒洲科技有限公司
类型:生产企业
电话:
联系人:廖汉鑫
地址:北京中国 北京市丰台区 北京市海淀区中关村大街32号蓝天科技综合楼B1-F5中发电子市场中心F1150号
∟ MOSFET(7)
制造商:VISHAY SILICONIX制造商编号:SI1012X-T1-E3
RoHS协从产品:是
描述
VISHAY SILICONIX - SI2303BDS-T1-E3 -场效应管 MOSFET
图片只做观看之用 | 制造商: VISHAY SILICONIX 库存编号: 1653681 制造商编号: SI2303BDS-T1-E3 RoHS协从产品: 是 描述
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NXP - SI2304DS215 -场效应管MOSFET N沟道30V 1.7A SOT23
图片只做观看之用 | 制造商: NXP 库存编号: 1758125 制造商编号: SI2304DS215 RoHS协从产品: 是 描述
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VISHAY SILICONIX – SI2305DS-T1-E3 -场效应管MOSFET P TO-236
图片只做观看之用 | 制造商: VISHAY SILICONIX 库存编号: 1470101 制造商编号: SI2305DS-T1-E3 RoHS协从产品: 是 描述
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VISHAY SILICONIX - SI2306BDS-T1-E3 -场效应管 MOSFET N SOT-23
图片只做观看之用 | 制造商: VISHAY SILICONIX 库存编号: 1470157 制造商编号: SI2306BDS-T1-E3 RoHS协从产品: 是 描述
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VISHAY - SI2307CDS-T1-GE3 -场效应管 MOSFET P沟道 30V 3.5A SOT23
图片只做观看之用 | 制造商: VISHAY 库存编号: 1779262 制造商编号: SI2307CDS-T1-GE3 RoHS协从产品: 是 描述
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VISHAY SILICONIX - SI2308DS-T1-E3 -场效应管MOSFET N SOT-23
图片只做观看之用 | 制造商: VISHAY SILICONIX 库存编号: 1470158 制造商编号: SI2308DS-T1-E3 RoHS协从产品:是 描述
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VISHAY SILICONIX - SI2309DS-T1-E3 -场效应管 MOSFET P沟道 1.25W SOT-23 SMD
图片只做观看之用 | 制造商: VISHAY SILICONIX 库存编号: 1162917 制造商编号: SI2309DS-T1-E3 RoHS协从产品:是 描述
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VISHAY SILICONIX - SI2311DS-T1-E3 -场效应管 MOSFET P沟道 0.96W SOT-23 SMD
图片只做观看之用 | 制造商: VISHAY SILICONIX 库存编号: 1258062 制造商编号: SI2311DS-T1-E3 RoHS协从产品:是 描述
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