SI2305DS-T1-E3北京天泰恒洲科技

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VISHAY SILICONIX – SI2305DS-T1-E3 - 场效应管 MOSFET P TO-236

制造商:

VISHAY SILICONIX

库存编号:

1470101

制造商编号:

SI2305DS-T1-E3

RoHS协从产品:是

描述

· 晶体管*性:P

· 漏*电流, Id*大值:3.5A

· 电压, Vds*大:-8V

· 开态电阻, Rds(on):0.052ohm

· 电压@ Rds测量:-4.5V

· 电压, Vgs*高:-800mV

· 功耗:1.25W

· 封装类型:TO-236

· 针脚数:3

· 封装类型:TO-236

· 晶体管类型:MOSFET

· 电压Vgs @ Rds on测量:-4.5V

· 电压, Vds典型值:-8V

· 电流, Id连续:-3.5A

· 表面安装器件:表面安装

· 阈值电压, Vgs th典型值:-0.8V

联系方式

企业名：北京天泰恒洲科技有限公司

类型：生产企业

电话：

联系人：廖汉鑫

地址：北京中国北京市丰台区北京市海淀区中关村大街32号蓝天科技综合楼B1-F5中发电子市场中心F1150号

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