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09+/10+
GE-N-FET锗N沟道
*缘栅(MOSFET)
MTD5P06V
SMD(SO)/表面封装
ON/安森美
MOS-FBM/全桥组件
N沟道
增强型
TO-252
类型:经销商
电话:
联系人:陈瑞展
地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 华强北路新亚洲电子市场二期N3A011 深圳市南山科技园桑达科技大厦9楼
∟ 整流二极管(4)∟ 桥堆/整流桥/桥式整流器(1)∟ 快/超快/特快恢复二极管(1)∟ 瞬态(变)抑制二极管(1)∟ 肖特基二极管(4)
数据列表 | MTD5P06V |
产品相片 | TO-263 |
产品变化通告 | Product Obsolescence 11/Feb/2009 |
标准包装 | 2,500 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
FET 类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源*电压 (Vdss) | 60V |
电流 - 连续漏* (Id)(25° C 时) | 5A |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(*大值) | 450 毫欧 @ 2.5A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(*大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg) | 20nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 510pF @ 25V |
功率 - *大值 | 40W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63 |
供应商器件封装 | DPAK-3 |
包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | MTD5P06VT4OSTR |
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