SMD(SO)/表面封装
NTD3055L104-001
N-FET硅N沟道
S/开关
ON/安森美
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型
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地址：广东深圳中国 广东 深圳市福田区 华强北路新亚洲电子市场二期N3A011 深圳市南山科技园桑达科技大厦9楼
∟ 整流二极管(4)∟ 桥堆/整流桥/桥式整流器(1)∟ 快/超快/特快恢复二极管(1)∟ 瞬态(变)抑制二极管(1)∟ 肖特基二极管(4)
数据列表 NTD3055L104 产品相片 DPAK_369D−01 标准包装 75 类别 分立半导体产品 家庭 FET - 单 系列 - FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能 逻辑电平门 漏源*电压 (Vdss) 60V 电流 - 连续漏* (Id)（25° C 时） 12A 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（*大值） 104 毫欧 @ 6A，5V 不同 Id 时的 Vgs(th)（*大值） 2V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg) 20nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 440pF @ 25V 功率 - *大值 1.5W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 供应商器件封装 I-Pak 包装 管件 产品目录页面 1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 NTD3055L104-1G-ND
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NTD3055L104-1GOS
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