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9.5A600V直插塑封FQPF10N60C Mos管N沟道原装*童

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材料：
N-FET硅N沟道
种类：
*缘栅(MOSFET)
型号/规格：
FQPF10N60C
封装外形：
CER-DIP/陶瓷直插
品牌/商标：
FAIRCHILD/*童
用途：
SW-REG/开关电源
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
批号：
11+
封装：
TO-220F

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普通会员

企业名：深圳市福田区新亚洲电子市场二期华万恒宇电子商行

类型：经销商

电话：

联系人：陈瑞展

地址：广东深圳中国广东深圳市福田区华强北路新亚洲电子市场二期N3A011 深圳市南山科技园桑达科技大厦9楼

产品分类

二极管(12)
∟ 整流二极管(4)∟ 桥堆/整流桥/桥式整流器(1)∟ 快/超快/特快恢复二极管(1)∟ 瞬态(变)抑制二极管(1)∟ 肖特基二极管(4)
三极管(3)
∟ 功率三极管(2)∟ 其他三极管(1)
场效应管MOSFET(26)
∟ MOSFET(26)
可控硅IGBT(9)
∟ 单向可控硅(晶闸管)(3)∟ 双向可控硅(晶闸管)(6)

新品上架

商品信息

数据列表	FQP10N60C, FQPF10N60C
产品相片	TO-220AB
标准包装	50
类别	分立半导体产品
家庭	FET - 单
系列	QFET™
FET 类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能	标准
漏源*电压 (Vdss)	600V
电流 - 连续漏* (Id)（25° C 时）	9.5A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（*大值）	730 毫欧 @ 4.75A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（*大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg)	57nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)	2040pF @ 25V
功率 - *大值	50W
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-220-3 整包
供应商器件封装	TO-220F
包装	管件

联系方式

企业名：深圳市福田区新亚洲电子市场二期华万恒宇电子商行

类型：经销商

电话：

联系人：陈瑞展

地址：广东深圳中国广东深圳市福田区华强北路新亚洲电子市场二期N3A011 深圳市南山科技园桑达科技大厦9楼

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