N-FET硅N沟道
*缘栅(MOSFET)
FQPF10N60C
CER-DIP/陶瓷直插
FAIRCHILD/*童
SW-REG/开关电源
N沟道
增强型
11+
TO-220F
类型:经销商
电话:
联系人:陈瑞展
地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 华强北路新亚洲电子市场二期N3A011 深圳市南山科技园桑达科技大厦9楼
∟ 整流二极管(4)∟ 桥堆/整流桥/桥式整流器(1)∟ 快/超快/特快恢复二极管(1)∟ 瞬态(变)抑制二极管(1)∟ 肖特基二极管(4)
数据列表 | FQP10N60C, FQPF10N60C |
产品相片 | TO-220AB |
标准包装 | 50 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | QFET™ |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源*电压 (Vdss) | 600V |
电流 - 连续漏* (Id)(25° C 时) | 9.5A |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(*大值) | 730 毫欧 @ 4.75A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(*大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg) | 57nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2040pF @ 25V |
功率 - *大值 | 50W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
供应商器件封装 | TO-220F |
包装 | 管件
|
类型:经销商
电话:
联系人:陈瑞展
地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 华强北路新亚洲电子市场二期N3A011 深圳市南山科技园桑达科技大厦9楼
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司