总体描述特征
　　*对*大额定值TA = 25°C,除非另有注
　　*号参数评级的单位
　　VDSS漏源*电压至30 V
　　VGSS栅源*电压*大值-连续&plu*n;20 V
　　*漏*电流-连续(注1a)- 4
　　-脉冲- 20
　　腹膜透析*大功耗(1a)1.6 W
　　(注意磅)0.8
　　TSTG操作,均能储存温度范围- 55到150℃
　　热特点,
　　RqJA热阻、Junction-to-Ambient(1a)78°C / W
　　RqJC热阻、Junction-to-Case(注1)30°C / W
　　FDC658P Rev.C
　　这P-Channel电平MOSFET产生了
　　采用*半导体市场
　　PowerTrench已经*定制的过程
　　在导通状态阻力降到,然而保持
　　门*低收费切换性能。
　　这些设备都适合笔记本电脑
　　应用:负荷开关,电源管理,
　　电池充电电路、直流/直流转换。
　　一、至30 - V关系型数据库(在)= 0.050 W - V = @器
　　关系型数据库(在)= 0.075 W @ VGS = -4.5 V。
　　(8nC典型低门)。
　　*沟技术为*低
　　关系型数据库(上)。
　　包装:小SuperSOTTM-6小于(72%
　　标准SO-8);低调(等级的厚)。
　　SOT-23 SuperSOTTM-6 SuperSOTTM-8 SO-8 SOT-223 SOIC-16
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