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现货供应FQPF6N90C MOS管/场效应管/IGBT 原装

现货供应FQPF6N90C MOS管/场效应管/IGBT 原装
现货供应FQPF6N90C MOS管/场效应管/IGBT 原装
  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 型号/规格:

    FQPF6N90C

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 用途:

    L/功率放大

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 封装/规格:

    TO-220F N沟道 900V 6A

  • 原装:

    原装

普通会员
  • 企业名:吴锡平

    类型:经销商

    电话:

    手机:13713859204

    联系人:吴锡平

    地址:广东深圳中国 广东 深圳市罗湖区 金塘街蔡屋围新七坊53号

商品信息 更新时间:2013-04-13



 

制造商:Fairchild Semiconductor
产品种类:MOSFET
RoHS:RoHS 合规性豁免 详细信息 
晶体管*性:N-Channel
汲*/源*击穿电压:900 V
闸/源击穿电压: /- 30 V
漏*连续电流:6 A
电阻汲*/源* RDS(导通):2.3 Ohms
配置:Single
*大工作温度: 150 C
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220F
封装:Tube
下降时间:60 ns 
正向跨导 gFS(*大值/*小值):5.5 S 
*小工作温度:- 55 C 
功率耗散:56 W 
上升时间:90 ns 
工厂包装数量:50 
典型关闭延迟时间:55 ns 
*件号别名:FQPF6N90C

联系方式

企业名:吴锡平

类型:经销商

电话:

手机:13713859204

联系人:吴锡平

地址:广东深圳中国 广东 深圳市罗湖区 金塘街蔡屋围新七坊53号

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