N-FET硅N沟道
*缘栅(MOSFET)
IRLR120NTRPbF
P-DIT/塑料双列直插
IR/国际整流器
L/功率放大
N沟道
增强型
48W
-55°C 到 +175°C
100V
类型：
电话：
联系人：马加鹏
地址：广东深圳中国 广东 深圳市福田区 新亚洲二期N1A048
∟ 快/超快/特快恢复二极管(39)∟ 肖特基二极管(14)∟ 其他二极管(1)
数据列表 | IRLR120NTRPbF |
产品相片 | TO-263 |
标准包装 | 2,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET -单 |
系列 | HEXFET® |
FET类型 | MOSFET N通道，金属氧化物 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
漏源*电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏*(Id)（25° C时） | 10A |
不同 Id、Vgs时的 Rds On（*大值） | 185毫欧@ 6A，10V |
不同Id时的Vgs(th)（*大值） | 2V @ 250µA |
不同Vgs时的栅*电荷(Qg) | 20nC @ 5V |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 440pF @ 25V |
功率-*大值 | 48W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2引线 接片），SC-63 |
供应商器件封装 | D-Pak |
包装 | 带卷(TR) |
友情链接： 深圳市元东发电子有限公司
