N-FET硅N沟道
*缘栅(MOSFET)
FQPF6N90C
CER-DIP/陶瓷直插
FAIRCHILD/*童
L/功率放大
N沟道
增强型
1770pF @ 25V
56W
900V
类型:
电话:
联系人:马加鹏
地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 新亚洲二期N1A048
∟ 快/超快/特快恢复二极管(39)∟ 肖特基二极管(14)∟ 其他二极管(1)
FQPF6N90C
数据列表 | FQP6N90C, FQPF6N90C |
产品相片 | TO-220AB |
产品变化通告 | Design/Process Change Notification 26/June/2007 |
标准包装 | 50 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET -单 |
系列 | QFET™ |
FET类型 | MOSFET N通道,金属氧化物 |
FET功能 | 标准 |
漏源*电压(Vdss | 900V |
电流-连续漏*(Id)(25° C时) | 6A |
不同 Id、Vgs时的 Rds On(*大值) | 2.3欧姆@ 3A,10V |
不同Id时的Vgs(th)(*大值) | 5V @ 250µA |
不同Vgs时的栅*电荷(Qg) | 40nC @ 10V |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1770pF @ 25V |
功率-*大值 | 56W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3整包 |
供应商器件封装 | TO-220F |
包装 | 管件 |
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友情链接: 深圳市元东发电子有限公司