• 场效??管MOSFET N D2-PAK 200V 9.5A
•  晶体管*性: N沟道
•  电流, Id连续: 9.3A
•  电压, Vds*大: 200V
•  在电阻RDS（上）: 300mohm
•  电压@ Rds测量: 10V
•  阈值电压, Vgs th典型值: 4V
•  功耗, Pd: 82W
•  工作温度敏: -55°C
•  工作温度*高: 175°C
•  封装类型: TO-263
•  针脚数: 3
•  SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
•  SMD标号: IRF630NS
•  上升时间: 14ns
•  下降时间: 15ns
•  功率, Pd: 82W
•  功耗: 82W
•  功耗(于1平方英寸PCB): 3.8W
•  单脉冲雪崩能量Eas: 94mJ
•  外宽: 10.16mm
•  外部深度: 15.49mm
•  外*度/高度: 4.69mm
•  封装类型: D2-PAK
•  封装类型,其它: D2-PAK
•  工作温度范围: -55°C到 175°C
•  时间, trr典型值: 117ns
•  晶体管数: 1
•  *大重复雪崩能量Ear: 8.2mJ
•  栅*电荷Qg N沟道: 35nC
•  温度@电流测量: 25°C
•  满功率温度: 25°C
•  漏*电流, Id*大值: 9.3A
•  热阻,结点至外壳A: 1.83°C/W
•  电压Vgs @ Rds on测量: 10V
•  电压, Vds: 200V
•  电压, Vds典型值: 200V
•  电压, Vgs Rds N沟道: 10V
•  电压, Vgs*高: 4V
•  电容值, Ciss典型值: 575pF
•  电流, Idm脉冲: 37A
•  电流, Idss*大: 25µA
•  结温, Tj*大值: 175°C
•  结温, Tj*小值: -55°C
•  表面安装器件: SMD
•  通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V: 300mohm
•  重复雪崩电流, Iar: 9.3A
•  阈值电压, Vgs th: 2V
•  阈值电压, Vgs th*高: 4V

企业名：深圳市福田区新亚洲电子市场二期信科盛电子经营部

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联系人：马加鹏

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