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ON牌子场效应管NDF10N60ZG 【原装】

供应 ON牌子场效应管NDF10N60ZG 【原装】

供应 ON牌子场效应管NDF10N60ZG 【原装】

材料：
N-FET硅N沟道
种类：
*缘栅(MOSFET)
型号/规格：
NDF10N60ZG
封装外形：
CER-DIP/陶瓷直插
品牌/商标：
ON/安森美
用途：
A/宽频带放大
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
电流 - 连续漏*：
10A
漏源*电压：
600V
功率：
39W

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普通会员

企业名：深圳市福田区新亚洲电子市场二期信科盛电子经营部

类型：

电话：

联系人：马加鹏

地址：广东深圳中国广东深圳市福田区新亚洲二期N1A048

产品分类

二极管(54)
∟ 快/超快/特快恢复二极管(39)∟ 肖特基二极管(14)∟ 其他二极管(1)
三极管(36)
∟ 功率三极管(11)∟ 开关三极管(1)∟ 复合(达林顿)三极管(12)∟ 其他三极管(12)
场效应管MOSFET(110)
∟ MOSFET(102)∟ 结型场效应管(8)
可控硅IGBT(2)
∟ 单向可控硅(晶闸管)(1)∟ 双向可控硅(晶闸管)(1)
连接器/接插件(7)
继电器(2)
∟ 电磁继电器(1)∟ 差动继电器(1)
光电子/光纤/激光(1)
∟ 光电光耦合器(光耦)(1)

新品上架

商品信息 更新时间：2013-03-29

数据列表	NDF10N60ZG
产品相片	TO-220AB
标准包装	50
类别	分立半导体产品
家庭	FET -单
系列	-
FET类型	MOSFET N通道，金属氧化物
FET功能	标准
*漏源电压(Vdss)**	600V
电流-连续漏*(Id)（25° C时）	10A
不同 Id、Vgs时的 *Rds On（大值）**	750毫欧@ 5A，10V
不同Id时的*Vgs(th)（大值）**	4.5V @ 100µA
不同*Vgs时的栅电荷(Qg)**	68nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1645pF @ 25V
功率-*大值	39W
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-220-3整包
供应商器件封装	TO-220FP
包装	管件

联系方式

企业名：深圳市福田区新亚洲电子市场二期信科盛电子经营部

类型：

电话：

联系人：马加鹏

地址：广东深圳中国广东深圳市福田区新亚洲二期N1A048

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