数据列表：FQP8N60C, FQPF8N60C
标准包装：50
类别：分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 QFET®
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 7.5A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）： 1.2 欧姆 @ 3.75A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）： 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 36nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 1255pF @ 25V
功率 - 值 ：48W
安装类型 ：通孔

封装/外壳： TO-220-3 整包

供应商器件封装： TO-220F

企业名：深圳市汶政科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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