GE-N-FET锗N沟道
*缘栅(MOSFET)
A03400A
SMD(SO)/表面封装
AOS/美国万代
A/宽频带放大
N沟道
增强型
5.7V
30V
1.4W
类型：
电话：
联系人：马加鹏
地址：广东深圳中国 广东 深圳市福田区 新亚洲二期N1A048
∟ 快/超快/特快恢复二极管(39)∟ 肖特基二极管(14)∟ 其他二极管(1)
数据列表 | AO3400A |
产品相片 | SOT-23 |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET -单 |
系列 | - |
FET类型 | MOSFET N通道，金属氧化物 |
FET功能 | 逻辑电平门，2.5V Drive |
漏源*电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏*(Id)（25° C时） | 5.7A |
不同 Id、Vgs时的 Rds On（*大值） | 26.5毫欧@ 5.7A，10V |
不同Id时的Vgs(th)（*大值） | 1.5V @ 250µA |
不同Vgs时的栅*电荷(Qg) | 13nC @ 4.5V |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1100pF @ 15V |
功率-*大值 | 1.4W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
供应商器件封装 | SOT-23-3 |
包装 | 带卷(TR) |
友情链接： 深圳市元东发电子有限公司
