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FAIRCHILD牌子 场效应管FQP8N60C 【原装】

供应 FAIRCHILD牌子 场效应管FQP8N60C 【原装】
供应 FAIRCHILD牌子 场效应管FQP8N60C 【原装】
  • 材料：

    N-FET硅N沟道

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 型号/规格：

    FQP8N60C

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD/*童

  • 用途：

    SW-REG/开关电源

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 功耗：

    147W

  • 电压, Vgs ：

    30V

  • 工作温度：

    -55°C 到 +150°C

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新品上架
商品信息 更新时间：2013-03-30

  • 场效应管MOSFET N TO-220
  •  晶体管*性: N沟道
  •  电流, Id连续: 7.5A
  •  电压, Vds*大: 600V
  •  在电阻RDS（上）: 1ohm
  •  电压@ Rds测量: 10V
  •  阈值电压, Vgs th典型值: 4V
  •  功耗, Pd: 147W
  •  工作温度敏: -55°C
  •  工作温度*高: 150°C
  •  封装类型: TO-220
  •  针脚数: 3
  •  SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  •  功率, Pd: 147W
  •  功耗: 147W
  •  外宽: 10.67mm
  •  外*度/高度: 4.83mm
  •  封装类型: TO-220
  •  工作温度范围: -55°C到 150°C
  •  晶体管数: 1
  •  温度@电流测量: 25°C
  •  满功率温度: 25°C
  •  漏*电流, Id*大值: 7.5A
  •  电压Vgs @ Rds on测量: 10V
  •  电压, Vds典型值: 600V
  •  电压, Vgs*高: 30V
  •  电流, Idm脉冲: 30A
  •  表面安装器件: Through Hole
  •  通态电阻, Rds on*大: 1.2ohm
  •  阈值电压, Vgs th*高: 4V

 

"

联系方式

企业名：深圳市福田区新亚洲电子市场二期信科盛电子经营部

类型：

电话：

联系人：马加鹏

地址：广东深圳中国 广东 深圳市福田区 新亚洲二期N1A048

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