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现货供应英飞凌IGBT模块FF150R12KE3

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金牌会员 第 11
  • 企业名:北京京诚宏泰科技有限公司

    类型:贸易/代理/分销

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商品信息 更新时间:2013-10-17


京京诚宏泰科技有限公司  现货销售代理各大品牌半导体器件 :IGBT  IPM  PIM  GTO  MOS管 可控硅 整流桥 大功率晶闸管 熔断器 电容 二极管  IGBT驱动 ABB配件  西门子配件等功率器件。代
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制造商:Infineon

产品:IGBT Silicon Modules

配置:Dual

集电极—发射极电压 VCEO:1200 V

在25 C的连续集电极电流:295 A

工作温度:+ 125 C

封装 / 箱体:62MM

栅极/发射极电压:+/- 20 V

工作温度:- 40 C

安装风格:Screw

工厂包装数量:10



 






销售代理国内外品牌电力电子器件和功率模块;主要代理及经销德国infneon(英 飞凌);EUPEC(优派克)、西门康、IXYS、AEG、TYCO,日本三菱、富士、东芝、日立、三社、三肯、因达,美国IR,瑞士ABB,英国西玛, 西班牙CATELEC等公司生产的GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅、GTO、整流桥、二极管、场效应模块;日本富士(FUJI)、日之出 (HINODE)、法国罗兰(FERRAZ)、英国GOULD、美国BUSSMANN快速熔断器;日本日立、黑金刚、红宝石,美国BHC电解电容以及美国 CDE无感电容;IGBT驱动模块、光耦、变频器主控板、驱动板,操作面板及延长电缆等配件以及富士制动单元  


由于IGBT模块为MOSFET结构,IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到20~30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。 因此使用中要注意以下几点:   1. 在使用模块时,尽量不要用手触摸驱动端子部分,当必须要触摸模块端子时,要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后,再触摸;   2. 在用导电材料连接模块驱动端子时,在配线未接好之前请先不要接上模块;   3. 尽量在底板良好接地的情况下操作。   在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极额定电压,但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合,也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此,通常采用双绞线来传送驱动信号,以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。   此外,在栅极—发射极间开路时,若在集电极与发射极间加上电压,则随着集电极电位的变化,由于集电极有漏电流流过,栅极电位升高,集电极则有电流流过。这时,如果集电极与发射极间存在高电压,则有可能使IGBT发热及至损坏。   在使用IGBT的场合,当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路状态),若在主回路上加上电压,则IGBT就会损坏,为防止此类故障,应在栅极与发射极之间串接一只10KΩ左右的电阻。   在安装或更换IGBT模块时,应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻,在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇,当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热,而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查,一般在散热片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器,当温度过高时将报警或停止IGBT模块工作。

FF150R12KS4  FF200R12KS4
FF300R12KS4  FF150R12KE3G
FF200R12KE3  FF300R12KE3
FF400R12KE3  FF600R12KE3
FF800R12KE3  FF1200R12KE3
FF75R12YT3  FF100R12YT3
FF150R12YT3  FF150R12KT3G
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FF400R12KT3  FF150R12ME3G
FF225R12ME3  FF300R12ME3
FF450R12ME3  FF400R12KF4
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FF400R12KL4C FF600R12KL4C
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FF300R12KT4  FF450R12KT4
FF450R12IE4  FF600R12IS4F
FF600R12IE4  FF600R12IP4
FF1400R12IP4 FF900R12IP4

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