Mitsubishi/三菱
RD70HVF1
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
HF/高频(射频)放大
CHIP/小型片状
GaAS-FET砷化镓
RD70HVF1是一个专门MOS FET型晶体管专为VHF/UHF高功率放大器申请
AO3408
品牌/商标:AOS/美国万代 型号/规格:AO3408 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 封装外形:SMD(SO)/表...
IRF630场效应管
品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRF630 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:A/宽频带放大 封装...
场效应管2SK3773-01MR
品牌/商标:FJD日本富士电机 型号/规格:2SK3773-01MR 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关...
UC3842BNG
品牌/商标:ON/安森美 型号/规格:UC3842BNG 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:MIN/微型 材料...
MOS管STF13NM60N
品牌/商标:ST/意法 型号/规格:11NM80 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 属性:11A/800V ST系...
场效应管3N60
品牌/商标:三星/ST 型号/规格:3N60 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:L/功率放大 封装外形:CER...
IRF3710场效应管
品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRF3710 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:CER-DIP/...
2302 MOS管
品牌/商标:ATMEL/爱特梅尔 型号/规格:2302 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:L/功率放大 封装外...
1.5N60场效应MOS管
品牌/商标:国产 型号/规格:1.5N60 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形...
深圳市浩时健电子技术有限公司(Shenzhen Haoshijian Electronics Co.,Ltd)是在中国地区面向OEM厂商和部属研究院提供产品销售和技术支持的办事机构。在全国设有两个办事处分别位于香港及深圳，总部设在香港。专业代理推广全球著名品牌传感器与控制；射频微波、电子元器件及模块系列产品。我们的产品主要应用在电子通讯、医疗设备、仪器仪表、电力系统和自动控制等行业。在传感与控制产品领域，我们已具备丰富的销售经验和强大的技术支持，是目前国内较大规模传感器和控制产品的销售公司。我们提供的传感器覆盖面极为广泛：其中有美国ADI加速度和角速率陀螺仪传感器；美国MOTOROLA、FREESCALE飞思卡尔全系列加速度和压力传感器；HONEYWELL霍尼韦尔压力、触力、磁阻、霍尔、电流、气体流量和温湿度传感器；法国HUMIREL、日本SHINYEI神荣湿度传感器、湿敏电阻和温湿度变送器；瑞士SENSIRION差压、气体和湿度传感器；日本NEMOTO、FIGARO费加罗全系列催化式、电化学、红外线气体传感器；德国PERKINELMER海曼、日本NICERA尼塞拉热释电红外传感器；还有新加坡AGIL
主营范围
压力传感器;气体传感器;加速度传感器;温湿度传感器;霍尔元件;热释电红外传感器;微波多普勒传感器;Honeywell传感器;继电器;电位器;射频微波管;接收发射管;高频微波管;放大器;衰减器;三菱功放模块;电源模块;光电开关;集成电路;电子元器件;
