Pm
7N60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
WAFER/裸芯片
N-FET硅N沟道
7N60 MOSFET WAFER (7N60 高压MOS管晶圆片)
-N-T*e
-Id: 7A
-Vdss: 600V
-Vgss: &plu*n;30V
-Vgs(th): 2.5V~4.5V
-Rds(on) ≤ 1.25Ω @Vgs=10V
-Eas: 206mJ
-Packaged T*e: TO-220, TO-220F
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AOD403
型号/规格:全系列 品牌/商标:美国万代 封装形式:TO252 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 AOD403/AOI403采用先...
OB2269
品牌/商标:OB 型号/规格:OB2269 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形...
N沟道场效应管
品牌/商标:AO 型号/规格:AO3402 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:DC/直流 封装外形:SMD(S...
拆机场效应管50N06
品牌/商标:*童 三星 哈里斯 ST MOT等厂家 型号/规格:50N06 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:M...
AOD442 场效应管
品牌/商标:AOS/美国万代 型号/规格:AOD442 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:S/开关 封装外形:...
IRF630场效应管
品牌/商标:ST/意法 型号/规格:IRF630 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:L/功率放大 封装外形:C...
AN80M50RSPE1
品牌/商标:PANASONIC/松下 型号/规格:AN80M50RSPE1 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形...
IR场效应管 IRF640NPBF
品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRF640NPBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:A/宽频带放大...
BUK7Y08-40B
品牌/商标:NXP/恩智浦 型号/规格:BUK7Y08-40B,SOT669,SMD/MOS,N场,40V,75A,0.008Ω 种类:*缘栅(...
本公司加工生产以及代理集IC(成电电路)已有10年经验。EEPROM存储器-AT24C01, AT24C02, AT24C04, AT24C08, AT24C16-AT24C16, AT24C32, AT24C64, AT24C128, AT24C256-AT93C46, AT93C56, AT93C66, AT93C86-AT25040, AT25080, AT25064, AT25128, AT25256锂电池保护IC-DW01+MOSFET(MOS管)-APM4953, APM9435, SI2301, SI2302, XP151, XP152-8205, 9926, 3401, 4606-STP75NF75, FDP75N80A, IRF2807-75N75, 50N06-1N60,2N60,3N60,4N60,5N60,6N60,8N60,10N60,12N60-FQPF2N60C, FQPF4N60C, FQPF6N60C FQPF8N60C, FQPF12N60C价格非常具有优势, 良好的服务、规格和技术支持, 品质绝对有保证，有需要可以与我们连系。
主营范围
封裝測试;晶园;晶粒;IC;集成电路;
