MDP11N60TH/MDF11N60TH
MagnaChip美格纳
TO-220
无铅环保型
直插式
管装
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FTP4N65
IPS
to-220
无铅环保型
直插式
卷带编带包装
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FQPF12N60C
FAIRCHILD
TO-220F
无铅*型
直插式
盒带编带包装
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AO4406A
AOS
SOP-8
21+
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IRFR9120NTRPBF
INFINEON(英飞凌)
TO252
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率
6.6A
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XZ2302
XZ
N勾道MOS管 深圳市科芯创展科技有限公司生产销售升压IC,升压芯片,升压电路等。产品有: 10颗LED背光升压IC,27颗LED背光升压芯片,1W、3W LED升压恒流电路,3V 5V DC/DC升压芯片, 3.3V 3.6V 4.5V升压电路,5.6V DC/DC升...
电话:0755-83768026
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XZ2302
XZ
N勾道MOS管 深圳市科芯创展科技有限公司生产销售升压IC,升压芯片,升压电路等。产品有: 10颗LED背光升压IC,27颗LED背光升压芯片,1W、3W LED升压恒流电路,3V 5V DC/DC升压芯片, 3.3V 3.6V 4.5V升压电路,5.6V DC/DC升...
电话:0755-83768026
手机:13715286762
PE5A1BA
Niko-sem
SMD(SO)/表面封装
普通型
直插式
卷带编带包装
大功率
绝缘栅(MOSFET)
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IRF4905
IR
TO-220
无铅*型
直插式
单件包装
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手机:13670499181
P-DIT/塑料双列直插
ISA07N65A
N-FET硅N沟道
SW-REG/开关电源
美国IPS
N沟道
绝缘栅(MOSFET)
增强型
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18A 5.5mΩ 30V
SD
SOP-8
无铅*型
贴片式
卷带编带包装
小功率
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手机:13530178326
CSZ44V
华晶
TO-220
无铅*型
直插式
散装
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手机:13812020156
新加坡鸿盛半导体
2N60/4N60/7N60/5N80
结型(JFET)
N沟道
增强型
P-DIT/塑料双列直插
IGBT*缘栅比*
电话:86 021 62099544
IR/国际整流器
IRFP350
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
L/功率放大
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
电话:86 020 61972608
TOSHIBA/东芝
K80E08K3
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
电话:86 0754 84459265
手机:13318073265
IT
mos8205-6
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
V-FET/V型槽MOS
CHIP/小型片状
N-FET硅N沟道
电话:86 0755 23101655
SIPU
SI2300
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
SMD(SO)/表面封装
SENSEFET电流敏感
电话:86 0755 82567922
手机:13714063000
晶群
GV2314
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
HF/高频(射频)放大
SMD(SO)/表面封装
GE-P-FET锗P沟道
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2022年5月17日至19日,第十届中国电子信息博览会将在深圳会展中心举办。展会提供了全方位的展览展示平台,包含了电子信息产业zui新技术、产品和服务,提供了全产业链前沿资讯、发展趋势、潜在商机,协助各大企业、行业平台品牌进行推广,尽在CITE 2022。 ...
据iSuppli公司,由于2010年销售增长50%以上,而且产量有限,英飞凌、意法半导体和飞兆半导体等主要供应商的某些功率MOSFET对中国市场实行配给,而且交货期拉长。2010年中国功率MOSFET市场预计增长到24亿美元,比2009年的16亿美
据iSuppli公司,由于2010年销售增长50%以上,而且产量有限,英飞凌、意法半导体和飞兆半导体等主要供应商的某些功率MOSFET对中国市场实行配给,而且交货期拉长。2010年中国功率MOSFET市场预计增长到24亿美元,比2009年的16亿美
威世(VishayIntertechnology,Inc.)近日宣布推出新款600V、47AN沟道功率MOSFET---SiHG47N60S,该MOSFET在10V栅极驱动下具有0.07Ω的超低导通电阻,栅极电荷减小到216nC,采用TO-24
随着手机市场的持续发展,以及智能电话的使用率和市场增长不断上升,设计人员面临着在总体设计中增加功能性,但同时需要减小外形尺寸和元件数目的挑战。为了应对客户需求和发展趋势,飞兆半导体(NYSE:FCS)开发出结合N沟道MOSFET和肖特基二极管的器件
1. N沟道增强型前面已经提及,图3.3.1 中的 MOS 管属于 N 沟道增强型。这种类型的MOS管采用P型衬底,导电沟道是 N 型。在vCS=0时没有导电沟道,开启电压Vcs(u)为正。工作时使用正电源,同时应将衬底接源极或者接到系统的最低电位上。在图3.3.1给出的符号中,...
图3.3.1 中的 MOS 管属于 N 沟道增强型。这种类型的MOS管采用P型衬底,导电沟道是 N 型。在vC5=0时没有导电沟道,开启电压Vcs(u)为正。工作时使用正电源,同时应将衬底接源极或者接到系统的最低电位上。在图3.3.1给出的符号中,用D S间断开的线段表示Vcs=0时...
耗计算式计算: × RDS(on) × K × 截止损耗计算: × IDSS ×( 1-Don ) 会依 VDS(off) 变化而变化,如计算得到的漏源电压 VDS(off) 很大以至接近 V(BR)DSS 则可直接引用此值。 开启过程损耗计算: 开启过程 VDS(off_on)(t) 与 IDS(off_...