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N沟道场效应管

(共找到“84”条查询结果)
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源头工厂
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  • 品牌/商标:

    安森美(ON Semiconductor)

  • 型号/规格:

    2N7002LT1G

  • 封装形式:

    SOT23

  • 封装材料:

    塑料封装

  • 结构:

    其他

  • 特征频率:

    小信号N沟道场效应管(MHz)

  • 营销方式:

    长期大量备货 货真价实

  • 品牌/商标:

    0N/安森美

  • 型号/规格:

    2N7002LT1G

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 詹欣龙

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东汕头
  • 电话:0754-84486621

  • 类型:

    稳压IC

  • 型号/规格:

    FQPF8N60C

  • 批号:

    2012+

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 封装:

    TO-220F

  • 属性:

    属性值

  • 肖维越

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东深圳
  • 电话:0755-82799300

    品牌/商标 ROHM 型号/规格 2SK3018 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 HEMT高电子迁移率 开启电压 0(V) 夹断电压 0(V) 跨导 0(μS) *间...

    • 品牌/商标:

      NXP恩智浦

    • 型号/规格:

      BF862

    • *性:

      PNP型

    • 封装形式:

      贴片型

      品牌/商标 Fairchild 型号/规格 FDN337N SOT-23 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 CHOP/斩波、限幅 封装外形 SMD(SO)/表面封装 开启电压 5(V) 夹断电压 2(V) 低频跨导 10(μS) ...

        产品类型 发光二*管 品牌/商标 国产 型号/规格 XH-A3528GC-23M 结构 点接触型 材料 硅(Si) 封装形式 贴片型 封装材料 树脂封装 功率特性 小功率 频率特性 低频 发光颜色 蓝色 LED封装 无色透明(T) 出光面特征 方灯 ...

        • 谢水明

        • 供应商等级: 免费会员
        • 企业类型:生产加工
        • 地区:广东汕头
        • 电话:0754-82339686

        • 品牌:

          IR/国际整流器

        • 型号:

          IRFR2905Z

        • 种类:

          *缘栅(MOSFET)

        • 沟道类型:

          N沟道

        • 导电方式:

          增强型

        • 用途:

          HI-REL/高*性

        • 封装外形:

          SMD(SO)/表面封装

        • 材料:

          N-FET硅N沟道

        • 品牌/商标:

          TOSHIBA/东芝

        • 型号/规格:

          SSM4K27*

        • 种类:

          *缘栅(MOSFET)

        • 沟道类型:

          N沟道

        • 导电方式:

          增强型

        • 用途:

          SW-REG/开关电源

        • 封装外形:

          SMD(SO)/表面封装

        • 材料:

          N-FET硅N沟道

        • 材料:

          N-FET硅N沟道

        • 种类:

          *缘栅(MOSFET)

        • 型号/规格:

          XP0487800LSO(XP4878)

        • 封装外形:

          SMD(SO)/表面封装

        • 品牌/商标:

          Panasonic/松下

        • 用途:

          S/开关

        • 沟道类型:

          N沟道

        • 导电方式:

          增强型

        • 品牌/商标:

          DIOD*/美台

        • 型号/规格:

          2N7002

        • 种类:

          *缘栅(MOSFET)

        • 沟道类型:

          N沟道

        • 导电方式:

          耗尽型

        • 用途:

          SW-REG/开关电源

        • 封装外形:

          SMD(SO)/表面封装

        • 材料:

          N-FET硅N沟道

        • 品牌/商标:

          Hitachi/日立

        • 型号/规格:

          2SK2225

        • 种类:

          *缘栅(MOSFET)

        • 沟道类型:

          N沟道

        • 导电方式:

          耗尽型

        • 用途:

          A/宽频带放大

        • 封装外形:

          CER-DIP/陶瓷直插

        • 材料:

          N-FET硅N沟道

        • 朱銮娥

        • 供应商等级: 免费会员
        • 企业类型:经销商
        • 地区:广东深圳
        • 电话:0755-82539132

        • 品牌/商标:

          AOS/美国万代

        • 型号/规格:

          AO8822 P N沟道场效应管

        • 种类:

          *缘栅(MOSFET)

        • 沟道类型:

          N沟道

        • 导电方式:

          增强型

        • 用途:

          MW/微波

        • 封装外形:

          LLCC/无引线陶瓷片载

        • 材料:

          GE-N-FET锗N沟道

        • 品牌:

          PHILIPS/飞利浦

        • 型号:

          BF998

        • 种类:

          *缘栅(MOSFET)

        • 沟道类型:

          N沟道

        • 导电方式:

          增强型

        • 用途:

          A/宽频带放大

        • 封装外形:

          SMD(SO)/表面封装

        • 材料:

          GaAS-FET砷化镓

        • 功率:

          1

        • 类型:

          其他IC

        • 型号/规格:

          IRF740

        • 批号:

          12

        • 用途:

          仪器

        • 品牌/商标:

          FSC/*童

        • 封装:

          TO-220

        • 品牌:

          AOS/美国万代

        • 型号:

          AOD438

        • 种类:

          *缘栅(MOSFET)

        • 沟道类型:

          N沟道

        • 导电方式:

          增强型

        • 用途:

          MOS-FBM/全桥组件

        • 封装外形:

          SMD(SO)/表面封装

        • 材料:

          N-FET硅N沟道

        • 蔡楚杰

        • 供应商等级: 免费会员
        • 企业类型:生产加工
        • 地区:广东汕头
        • 手机:

        • 品牌/商标:

          TOSHIBA/东芝

        • 型号/规格:

          2SK3767

        • 种类:

          *缘栅(MOSFET)

        • 沟道类型:

          N沟道

        • 导电方式:

          增强型

        • 封装外形:

          CER-DIP/陶瓷直插

        • 材料:

          N-FET硅N沟道

        • 型号/规格:

          FTUO1N60

        • 品牌/商标:

          国产CS

        • 沟道类型:

          N沟道

        • 种类:

          绝缘栅(MOSFET)

        • 导电方式:

          增强型

        • 封装外形:

          SMD(SO)/表面封装

        • 型号/规格:

          WNM4002

        • 材料:

          GE-N-FET锗N沟道

        • 用途:

          MOS-FBM/全桥组件

        • 品牌/商标:

          韦尔

        • 沟道类型:

          N沟道

        • 种类:

          绝缘栅(MOSFET)

        • 导电方式:

          增强型

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