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N沟道场效应管

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源头工厂
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  • 品牌/商标:

    晶群

  • 型号/规格:

    GS8831

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    MOS-INM/*组件

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    IGBT*缘栅比*

  • 品牌/商标:

    Vishay/威世通

  • 型号/规格:

    SI2300

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    S/开关

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 批号:

    13+

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 型号/规格:

    SVF2N60

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 品牌/商标:

    SILAN/士兰微

  • 用途:

    DC/直流

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 品牌/商标:

    NEC/日本电气

  • 型号/规格:

    NE34018

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    ME

  • 型号/规格:

    MEM2302XG

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    M*F5457

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    S/开关

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    FDN337N SOT-23

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    CHOP/斩波、限幅

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 开启电压:

    5(V)

  • 品牌/商标:

    Vishay/威世通

  • 型号/规格:

    IRFP264PBF

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    HF/高频(射频)放大

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    M*金属半导体

  • 封装外形:

    SP/*外形

  • 型号/规格:

    N沟道场效应管 2N7000A TO-92 60V/200MA/1.2欧*

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    VID/视频

  • 品牌/商标:

    其他

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    7N60

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    S/开关

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 型号/规格:

    FDD8880

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 0:

    0

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 品牌/商标:

    DIOD*

  • 型号/规格:

    2N7002-7-F

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 封装形式:

    贴片型

  • 型号/规格:

    2N7002

  • 材料:

    锗(Ge)

  • 品牌/商标:

    长电

  • 应用范围:

    功率

  • 品牌/商标:

    ST/意法

  • 型号/规格:

    STP10NK60Z

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 品牌:

    SGS法意电子

  • 型号:

    STP75NF75

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    DC/直流

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 邹荣财

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东深圳
  • 电话:86 0755 28580524

    手机:13728709180

  • 型号/规格:

    IRF840

  • 品牌/商标:

    自产品牌 canca

  • *类别:

    普通型

  • 品牌/商标:

    FUJI/富士通

  • 型号/规格:

    K2645 2SK2645

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    HI-IMP/高输入阻*

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 彭志毫

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东深圳
  • 电话:86 0755 82719303

    手机:13760241411

  • 应用范围:

    功率

  • 品牌/商标:

    AO

  • 型号/规格:

    贴片 SOT-23 AO3400 (A09T) MOS场效应管 N沟道场效应管 SOT-23

  • 封装形式:

    SOP

  • 材料:

    硅(Si)

  • 型号/规格:

    KD9926

  • 品牌/商标:

    KWAIDA

  • 封装形式:

    SOT-8L

  • *类别:

    无铅*型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    小功率

  • 深圳奎达电子有限公司

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:生产企业
  • 地区:广东深圳
  • 电话:0755-82914455

    手机:13823220624

  • 品牌/商标:

    其他

  • 型号/规格:

    2SK3868

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    L/功率放大

  • 封装外形:

    SP/*外形

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 方育辉(个体经营)

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东汕头
  • 电话:86 0754 84472126

    手机:13202136378

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