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IGBT管

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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块 GTR达林顿模块 其他场效应管模块

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【*批发】*原装IGBT管HGTG40N60B3*热卖
【*批发】*原装IGBT管HGTG40N60B3*热卖
  • 品牌/商标：

    HAR美国哈里斯半导体

  • 型号/规格：

    HGTG40N60B3

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    SW-REG/开关电源

  • 材料：

    IGBT*缘栅比*

  • 陈泽滨

  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：经销商
  • 地区:广东深圳

    • 电话：0755-61306512

热卖拆机*现货W60N10.70N10.70N15.75N15场效应管 IGBT管
热卖拆机*现货W60N10.70N10.70N15.75N15场效应管 IGBT管
  • 品牌/商标：

    ST/意法

  • 型号/规格：

    W60N10

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    MOS-INM/*组件

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

  • 朱华

  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：经销商
  • 地区:广东汕头

    • 电话：0754-136761250

FGA25N120 电磁炉*IGBT管
FGA25N120 电磁炉*IGBT管

    品牌:* 型号:*童 应用范围:带阻尼 FGA25N120（电磁炉*IGBT管），电磁炉功率开关管

    IGBT管MOS管
    IGBT管MOS管

      品牌:fairchild 型号:fga25n120 批号:09+ 封装:to247 营销方式:现货 产品性质:* 处理信号:数模混合信号 制作工艺:混合集成 导电类型:双*型 集成程度:大规模 规格尺寸:2（mm） 工作温度:-40~125（℃） 静态功耗:1200...

      IRG*C20UD/IGBT管
      IRG*C20UD/IGBT管

        品牌:InterFET美国 型号:IRG*C20UD 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:UNI/一般用途 材料:IR 德利来电子是一家从事销售美国IR品牌国际整流器

        *场效应IGBT管:HGTG11N120CND
        *场效应IGBT管:HGTG11N120CND

          品牌:FAIRCHILD 型号:HGTG11N120CND 批号:09 封装:A 营销方式:现货 产品性质:* 处理信号:数字信号 制作工艺:半导体集成 导电类型:双*型 集成程度:大规模 规格尺寸:原厂标准（mm） 工作温度:-40~85（℃） 静态功耗:原...

          IGBT管 SGS10N60RUFD(图)
          IGBT管 SGS10N60RUFD(图)

            品牌:FSC 型号:SGS10N60RUFD 封装形式:TO-220F 装配方式:TO-220F 封装材料:塑料封装 结构:合金型 材料:锗 *性:NPN型 功率特性:小功率 应用范围:带阻尼我公司现有大量提供原装* FSC品牌三管:SGS10N60RUFD ,SGS10N60PU...

            GT50J101 IGBT管,原装*拆机件,质量包好
            GT50J101 IGBT管,原装*拆机件,质量包好
            • 是否提供加工定制：

              是

            • 品牌/商标：

              TOSHIBA/东芝

            • 型号/规格：

              GT50J101

            • 应用范围：

              放大

            • 封装形式：

              直插

            • 封装材料：

              其他

            *童/FAIRCHILD IGBT管 FGH40N60SFD 40A 600V
            *童/FAIRCHILD IGBT管 FGH40N60SFD 40A 600V
            • 品牌/商标：

              FAIRCHILD/*童

            • 型号/规格：

              FGH40N60SFD

            • 种类：

              *缘栅(MOSFET)

            • 沟道类型：

              N沟道

            • 导电方式：

              增强型

            • 用途：

              L/功率放大

            • 封装外形：

              CER-DIP/陶瓷直插

            • 材料：

              GE-N-FET锗N沟道

            • 王欢

            • 供应商等级： 免费会员
            • 企业类型：经销商
            • 地区:广东广州

              • 电话：020-83795647

            FGA25N120 *IGBT管 使用于电磁炉 *童原装 25n120
            FGA25N120 *IGBT管 使用于电磁炉 *童原装 25n120
            • 加工定制：

              否

            • 品牌/商标：

              FAIRCHILD/*童

            • 型号/规格：

              FGA25N120

            • 应用范围：

              微波

            • 材料：

              硅(Si)

            • *性：

              NPN型

            • 集电*允许电流ICM：

              25（A）

            • 集电*耗散功率PCM：

              1200（W）

            IRGP50B60PD1-EP IGBT管
            IRGP50B60PD1-EP IGBT管

              品牌:INR美德国际整流器件 型号:IRGP50B60PD1-EP 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:600（V） 低频噪声系数:0（dB） 漏*电流:33（...

              IGBT管*FUJI热卖1*H60D-100原装，*十
              IGBT管*FUJI热卖1*H60D-100原装，*十

                品牌/商标 FUJI 型号/规格 1*H60D-100 应用范围 达林顿 材料 硅(Si) *性 NPN型 击穿电压VCBO .（V） 集电*允许电流ICM .（A） 集电*耗散功率PCM .（W） 截止频率fT .（MHz） 结构 平面型 封装形式 直插型 封装材料 ...

                东芝IGBT管GT60N321.GT30J322
                东芝IGBT管GT60N321.GT30J322
                • 品牌/商标：

                  TOSHIBA东芝

                • 型号/规格：

                  GT60N321.GT30J322.GT60M303.GT80J101

                • 功率特性：

                  大功率

                • *性：

                  NPN型

                • 封装形式：

                  直插型

                原装*童IGBT管 FGA25N120
                原装*童IGBT管 FGA25N120

                  品牌:* 型号:FGA25N120 控制方式:单向 *数:三* 封装材料:金属封装 封装外形:TO-* 关断速度:普通 散热功能:带散热片 功率特性:*率 频率特性:低频 额定正向平均电流:25（A） 控制*触发电压:3（V） 控制*触发电流:150（...

                  日本富士一系列大功率IGBT管(图)
                  日本富士一系列大功率IGBT管(图)

                    品牌:FJD日本富士电机 型号:1*H60D-100 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-HBM/半桥组件 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道供应日本富士一系列IGBT管:1*H15D-060,1*H30D-060,1...

                    长期现货拆机电子商务元件IGBT管GT60N321
                    长期现货拆机电子商务元件IGBT管GT60N321
                    • 加工定制：

                      否

                    • 品牌/商标：

                      TOSHIBA/东芝

                    • 型号/规格：

                      GT60N321

                    • 应用范围：

                      功率

                    • 材料：

                      硅(Si)

                    • *性：

                      NPN型

                    • 集电*允许电流ICM：

                      A（A）

                    • 集电*耗散功率PCM：

                      W（W）

                    • 黄小春

                    • 供应商等级： 免费会员
                    • 企业类型：生产加工
                    • 地区:广东汕头

                      • 电话：0754-84492112

                    场效应管【IGBT管】G27N120
                    场效应管【IGBT管】G27N120
                    • 应用范围：

                      放大

                    • 品牌/商标：

                      FAIRCHILD/*童

                    • 型号/规格：

                      G27N120 G27N120BN

                    • 材料：

                      M*金属半导体

                    • 漏*电流：

                      '

                    • 跨导：

                      .

                    • 封装外形：

                      CHIP/小型片状

                    • 开启电压：

                      ;

                    • 邓美春

                    • 供应商等级： 免费会员
                    • 企业类型：经销商
                    • 地区:广东汕头

                      • 电话：0754-86673482

                    *原装IGBT管IRG4PH20KPBF 11A 1200V N沟 变频电源 08T120
                    *原装IGBT管IRG4PH20KPBF 11A 1200V N沟 变频电源 08T120
                    • 品牌：

                      IR/国际整流器

                    • 型号：

                      IRG4PH20KPBF

                    • 种类：

                      *缘栅(MOSFET)

                    • 沟道类型：

                      N沟道

                    • 导电方式：

                      增强型

                    • 用途：

                      CC/恒流

                    • 封装外形：

                      CER-DIP/陶瓷直插

                    • 材料：

                      IGBT*缘栅比*

                    原装IGBT管FGA25N120
                    原装IGBT管FGA25N120

                      品牌:FAIRCHILD(*童) 型号:FGA25N120 封装:TO-* *限电压:1200（V） *限电流:25（A） 用途:电磁炉控制板 沟道类型:N沟道电磁炉*

                      IGBT管GT30J322
                      IGBT管GT30J322

                        品牌:TOS 型号:GT30J322 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型现货,价格优惠~!~!~

                        • 陈文强(个体经营)

                        • 供应商等级： 免费会员
                        • 企业类型：经销商
                        • 地区:广东深圳

                          • 电话：0755-61685458

                        什么是IGBT管?

                        • 　　IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。　　IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上；　　IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见；　　IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。

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                          IGBT管

                        IGBT管技术资料

                        • MOS管和IGBT管的前世今生，该如何选择？

                          在电子电路中，MOS 管和 IGBT 管会经常出现，它们都可以作为开关元件来使用，MOS 管和 IGBT 管在外形及特性参数也比较相似，那为什么有些电路用 MOS 管？而有些电路用 IGBT 管？　　下面我们就来了解一下，MOS 管和 IGBT 管到底有什么区别吧！　　 什么是 MOS 管？　　场效应管主要有两种类...

                        • MOS管和IGBT管有什么区别？不看就亏大了

                          在电子电路中，MOS管和IGBT管会经常出现，它们都可以作为开关元件来使用，MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似，那为什么有些电路用MOS管？而有些电路用IGBT管？　　下面我们就来了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么区别吧！　　什么是MOS管？　　场效应管主要有两种类型，分别是结型场...

                        • MOS管和IGBT管如何识别？使选择、判断、使用不再疑惑！

                          MOS管和IGBT管作为现代电子设备使用频率较高的新型电子器件，因此在电子电路中常常碰到也习以为常。可是MOS管和IGBT管由于外形及静态参数相似的很，有时在选择、判断、使用容易出差池。MOS管和IGBT管可靠的识别方法为选择、判断、使用扫清障碍！　　MOS管　　MOS管即MOSFET，中文名金属氧化...

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