HAR美国哈里斯半导体
HGTG40N60B3
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
IGBT*缘栅比*
企业名:陈泽滨
类型:经销商
电话: 0755-61306512
联系人:陈泽滨
地址:广东深圳深圳市福田区中航路新亚洲电子商城一期2A009A柜台
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),
*缘栅双*型晶体管,是由BJT(双*型三*管)和MOS(*缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,
兼有MOSFET的高输入阻*和GTR的低导通压降两方面的优点。
GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;
MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。
IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。*适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
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