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功率场效应管

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源头工厂
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  • 型号/规格:

    IRF540N

  • 品牌/商标:

    IR

  • 封装形式:

    P-DIT

  • *类别:

    无铅*型

  • 安装方式:

    IR/国际整流器

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 功率特征:

    大功率

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRFZ44N

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    L/功率放大

  • 开启电压:

    55(V)

  • 漏*电流:

    49000(mA)

  • 型号/规格:

    2SK2800

  • 品牌/商标:

    U

  • *类别:

    无铅*型

  • 锋泽电子

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东深圳
  • 电话:0755-88917223

    手机:13510355358

  • 型号/规格:

    MCH3405-TL-E

  • 品牌/商标:

    SANYO

  • 封装形式:

    塑料封装

  • *类别:

    无铅*型

  • 安装方式:

    贴片

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 型号/规格:

    SD20N60,24N60C3,35N60C3

  • 品牌/商标:

    英飞菱

  • 封装形式:

    金属封装

  • *类别:

    普通型

  • 安装方式:

    直插

  • 功率特征:

    大功率

  • 包装方式:

    散装

  • 雄杰电子有限公司

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东汕头
  • 电话:0754-82330350

    手机:13433313520

  • 场效应管:

    4.4A 600V

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 型号/规格:

    FTA4N60C

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 品牌/商标:

    TRA美国晶体管

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 品牌/商标:

    IXYS/艾赛斯

  • 型号/规格:

    IXFH26N60Q

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 漏*电流:

    26A

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRFBC30PBF

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MOS-HBM/半桥组件

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 类型:

    其他IC

  • 应用范围:

    功率

  • 品牌/商标:

    Hitachi/日立

  • 型号/规格:

    K1414

  • 材料:

    硅(Si)

  • 封装形式:

    TO-*L

  • 应用范围:

    振荡

  • 品牌/商标:

    IXYS/艾赛斯

  • 型号/规格:

    18

  • 材料:

    硅(Si)

  • 封装形式:

    TO-*L

  • 类型:

    驱动IC

  • 品牌/商标:

    FORTUNE/台湾富晶

  • 型号/规格:

    FS8205

  • 封装:

    MSOP8/SOT23

  • 批号:

    2013+

  • 类型:

    通信IC

  • 品牌/商标:

    FRE*CALE/飞思卡尔

  • 型号/规格:

    MW6S010

  • 电源电压:

    0.1

  • 功率:

    0.1

  • 频率:

    0.1

  • 用途:

    仪器

  • 封装:

    TO-270

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    FQPF8N60C

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 类型:

    其他IC

  • 品牌/商标:

    IR

  • 型号/规格:

    IRF9640STRLPBF

  • 功率:

    12

  • 用途:

    仪器

  • 封装:

    TO263

  • 批号:

    2013

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 型号/规格:

    IRF1104L TO-262

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    UNI/一般用途

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    12N60 FQP12N60C FQP12N60

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    DIFF/差分放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 封装外形:

    TO-220-3 整包

  • 型号/规格:

    FQPF10N60C

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    L/功率放大

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 沟道类型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRF9640PBF

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    L/功率放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    K2865

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    O/振荡

  • 发货单位:

    汕头科通电子

  • 封装:

    TO-252

  • 加工定制:

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRFB38N20DPBF

  • 应用范围:

    功率

  • 材料:

    硅(Si)

  • *性:

    NPN型

  • 击穿电压VCEO:

    200(V)

  • 集电*允许电流ICM:

    38(A)

什么是功率场效应管?

  •   功率场效应管(Power MOSFET)也叫电力场效应晶体管,是一种单极型的电压控制器件,具有自关断能力,驱动功率小,开关速度高、无二次击穿、安全工作区宽等特点。由于其易于驱动和开关频率可高达500kHz,特别适于高频化电力电子装置,如应用于 DC/DC 变换、开关电源、便携式电子设备、航空航天以及汽车等电子电器设备中。
  • 功率场效应管

功率场效应管技术资料

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