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大功率场效应管 IXFH26N60Q/26N60

供应大功率场效应管 IXFH26N60Q/26N60

供应大功率场效应管 IXFH26N60Q/26N60

品牌/商标：
IXYS/艾赛斯
型号/规格：
IXFH26N60Q
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
用途：
SW-REG/开关电源
材料：
N-FET硅N沟道
漏*电流：
26A
开启电压：
4.5
夹断电压：
0
耗散功率：
360W

发布询价信息

普通会员

企业名：深圳市福田区华强广场新原电子...

类型：经销商

电话： 86 755 82715123

手机：13380356111

联系人：欧阳立

地址：广东深圳中国广东深圳市福田区深圳市福田区华强北路华强广场一层Q1C040室

产品分类

电源IC(6)
∟ LED驱动IC(2)∟ 稳压IC(4)
二极管(13)
∟ 整流二极管(1)∟ 快/超快/特快恢复二极管(2)∟ 肖特基二极管(10)
三极管(13)
∟ 贴片/片式/SMD三极管(4)∟ 开关三极管(3)∟ 复合(达林顿)三极管(2)
场效应管MOSFET(25)
∟ MOSFET(25)

新品上架

商品信息

描述

晶体管*性:N沟道
漏*电流, Id *大值:26A
电压, Vds *大:600V
开态电阻, Rds(on):0.25ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs *高:20V
功耗:360W
工作温度范围:-55°C to 150°C
封装类型:TO-247
针脚数:3
N沟道栅*电荷 Qg:150nC
功率, Pd:360W
单脉冲雪崩能量 Eas:1.5J
封装类型:TO-247
时间, trr 典型值:250ns
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
*大重复雪崩能量 Ear:45mJ
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:600V
电压变化率 dv/dt:5V/ns
电流, Id 连续:26A
电流, Idm 脉冲:104A
结温, Tj :-55°C
结温, Tj *高:150°C
表面安装器件:通孔安装
通态电阻, Rds on *大:0.25ohm
重量:6g
阈值电压, Vgs th 典型值:4.5V
阈值电压, Vgs th *高:4.5V

联系方式

企业名：深圳市福田区华强广场新原电子...

类型：经销商

电话： 86 755 82715123

手机：13380356111

联系人：欧阳立

地址：广东深圳中国广东深圳市福田区深圳市福田区华强北路华强广场一层Q1C040室

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