FAIRCHILD/*童
FQD2N60C
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
CC/恒流
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
1900
2-4
180
类型：经销商
电话： 86 755 82715123
手机：13380356111
联系人：欧阳立
地址：广东深圳中国 广东 深圳市福田区 深圳市福田区华强北路华强广场一层Q1C040室
电流特性曲线(X:500mV; Y:100mA;VGS:1V):
因存在线阻和测试温度和测试仪器精度等原因，测得的读数偏大。
耐压特性曲线(X:100V; Y:500uA):
应用：
1、LED 日光灯驱动电源 （T8以上内置电源）:
在功率MOSFET的数据表中，通常包括单脉冲雪崩能量EAS，雪崩电流IAR，重复脉冲雪崩能量EAR等参数，而许多电子工程师在设计电源系统的过程中，很少考虑到这些参数与电源系统的应用有什么样的联系，如何在实际的应用中评定这些参数对其的影响，以及在哪些应用条件下需要考虑这些参数。这里将论述这些问题，同时探讨功率MOSFET在非钳位感性开关条件下的工作状态。
EAS，IAR和EAR的定义及测量
MOSFET的雪崩能量与器件的热性能和工作状态相关，其*终的表现就是温度的上升，而温度上升与功率水平和硅片封装的热性能相关。功率半导体对快速功率脉冲（时间为100～200μs）的热响应可以由式1说明：
(1)
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