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场效应管 STB19*20T4/B19*20可代用IRF640NS/IRF640S/IRF630

场效应管 STB19*20T4/B19*20可代用IRF640NS/IRF640S/IRF630
场效应管 STB19*20T4/B19*20可代用IRF640NS/IRF640S/IRF630
  • 类型:

    其他IC

  • 品牌/商标:

    ST/意法

  • 型号/规格:

    STB19*20T4

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 漏*电流:

    19A

  • 开启电压:

    2-4

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 夹断电压:

    0

  • 导电方式:

    增强型

  • 耗散功率:

    125W

普通会员
  • 企业名:深圳市福田区华强广场新原电子...

    类型:经销商

    电话: 86 755 82715123

    手机:13380356111

    联系人:欧阳立

    地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 深圳市福田区华强北路华强广场一层Q1C040室

商品信息

应用:



類別 離散半導體產品

家庭 MOSFET - 單

安裝類型 通孔式

FET型 N通道

漏極至源極的電壓(Vdss) 200V

 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 19A

開態Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C 180毫歐姆@ 9.5A,10V

輸入電容(Ciss)@Vds 1000pF @ 25V

功率 - *大 125W

封裝 盘裝

閘電流(Qg) @ Vgs 40nC @ 10V

封裝/外殼 D2PAK TO-263

閘極至源極的電壓(*大Vgs) 30V

联系方式

企业名:深圳市福田区华强广场新原电子...

类型:经销商

电话: 86 755 82715123

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