SD20N60,24N60C3,35N60C3
英飞菱
金属封装
普通型
直插
大功率
散装
电话:0754-82330350
手机:13433313520
TOSHIBA/东芝
K2865
结型(JFET)
P沟道
增强型
O/振荡
汕头科通电子
TO-252
手机:13016661061
TOSHIBA/东芝
k2847
结型(JFET)
P沟道
耗尽型
MOS-ARR/陈列组件
LLCC/无引线陶瓷片载
SIT静电感应
手机:
TOSHIBA/东芝
K2698
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
/(V)
/(V)
/(μS)
手机:
IXY美国电报半导体
IXTH75N15,IXFH80N10Q,IXFH80N10
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
A/宽频带放大
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
手机:
P-DIT/塑料双列直插
K60-02A、K1120 、K1487
N-FET硅N沟道
L/功率放大
拆机
N沟道
结型(JFET)
耗尽型
手机:13536862667
SMD(SO)/表面封装
IRFB260N
N-FET硅N沟道
A/宽频带放大
IR/国际整流器
N沟道
结型(JFET)
耗尽型
手机:15626790473
SMD(SO)/表面封装
K794 2SK794
ALGaAS铝镓砷
A/宽频带放大
TOSHIBA/东芝
N沟道
结型(JFET)
耗尽型
手机:
n(mA)
N-FET硅N沟道
结型(JFET)
n(mW)
n(μS)
IXGH20N120BD1
CER-DIP/陶瓷直插
n(V)
手机:
功率
INFINEON/英飞凌
47N60C3
直插型
硅(Si)
1
1
1
手机:13417146475
TO-*
FDA18N50 *2 18N50
硅(Si)
FAIRCHILD/*童
放大
手机:15626790473
P-DIT/塑料双列直插
W8*100、W15NA50、W15*50
N-FET硅N沟道
L/功率放大
拆机
N沟道
结型(JFET)
耗尽型
手机:13536862667
TOSHIBA/东芝
K794 2SK794
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
A/宽频带放大
SMD(SO)/表面封装
ALGaAS铝镓砷
手机:
CER-DIP/陶瓷直插
FDP047AN08A0
ALGaAS铝镓砷
MOS-INM/*组件
FAIRCHILD/*童
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型
电话:86 0754 84483628
手机:13322722404
否
TSC/台半
GT60N321 大功率场效应管 电磁炉功率管
振荡
电话:0754-86679997
否
FUJI/富士通
2sc2625/C2625
功率
硅(Si)
NPN型
10(A)
80(W)
电话:0754-86673199
NEC/日本电气
K785,2SK785
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
/(V)
/(V)
/(μS)
电话:754-84497561
MT系列V-MOS功率场效应管的主要特性参数见表。 MT系列V-MOS功率场效应管主要特性参数
VN系列N沟道功率场效应管的主要特性参数见表。 VN系列N沟道功率场效应管主要特性参数
IRF系列V-MOS大功率场效应管的主要特性参数见表。 IRF系列V-MOS大功率场效应管主要特性参数